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15:30 |
HL 9.1 |
Zustandsdichten an 6H-SiC/SiO2 Grenzflächen nach Umdotierung durch Ionenimplantation — •Michael Baßler, Valery Afanas’ev und Gerhard Pensl
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15:45 |
HL 9.2 |
Nukleare Transmutationsdotierung von 6H - Siliziumkarbid mit Phosphor — •Hans Heißenstein, Christian Peppermüller und Reinhard Helbig
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16:00 |
HL 9.3 |
Elektrische Charakterisierung des Titanakzeptors in Siliciumkarbid — •Thomas Dalibor, Gerhard Pensl, Nils Nordell, and Adolf Sch"oner
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16:15 |
HL 9.4 |
Auswirkung einer plasma-unterstützten Oberflächenbehandlung auf die Qualität von deponierten Gate- Oxiden auf 6H-SiC — •A. Gölz und H. Kurz
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16:30 |
HL 9.5 |
EPR- und ENDOR- Untersuchungen an Stickstoffdonatoren in 6H- 4H- und 3C-SiC — •M. März, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
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16:45 |
HL 9.6 |
Wachstumsmodell f"ur die Homoepitaxie von SiC — •A. Fissel, K. Pfennighaus, U. Kaiser, B. Schr"oter, J. Furthm"uller, P. K"ackell, W. Richter, and F. Bechstedt
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17:00 |
HL 9.7 |
Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit von 3C-SiC mit Ramanspektroskopie — •S. Rohmfeld, M. Hundhausen und L. Ley
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17:15 |
HL 9.8 |
Charakterisierung von dünnen Siliciumkarbid-Schichten mit spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner, S. Pjech, A. Gerasimovitsch und V. Cimalla
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17:30 |
HL 9.9 |
Identifikation von Chrom und Vanadium Störstellen in 4H-Siliziumkarbid — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Falk Günther, Michael Rüb und Wolfgang Witthuhn
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17:45 |
HL 9.10 |
Präzisionsbestimmung der atomaren Struktur von 6H- und 4H-SiC — •Andreas Bauer, Ludwig Dressler, Konrad Goetz, Jürgen Kräuslich, Peter Kuschnerus, Jürgen Wolf, Peter Käckell und F. Bechstedt
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18:00 |
HL 9.11 |
Modelle f"ur die numerische Simulation von SiC-Bauelementen — •M. Lades, A. Schenk, and G. Wachutka
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18:15 |
HL 9.12 |
Herstellung von epitaktischem β-SiC durch C60-Karbonisierung von Silizium auf Saphir — •J. Müller, B. Rauschenbach und B. Stritzker
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18:30 |
HL 9.13 |
XPS-Untersuchungen zur chemischen Struktur von Si"-li"-zium"-kar"-bid-Oberfl"achen — •Kerstin Gebhardt, Bernd Schr"oter, Manfred Riehl-Chudoba, and Wolfgang Richter
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18:45 |
HL 9.14 |
Elektrochemisches Ätzen von 6H-Siliziumkarbid — •Stefan Rysy und Reinhard Helbig
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19:00 |
HL 9.15 |
Wachstum von 4H- und 6H-SiC Volumen-Einkristallen nach dem modifizierten Lely-Verfahren — •Norbert Schulze, Volker Heydemann, Donovan L. Barrett und Gerhard Pensl
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19:15 |
HL 9.16 |
Beobachtung des Ausheilverhaltens von 4H-Siliziumkarbid nach Implantation von Hafnium — •Thomas Licht, Kristian Freitag, Joachim Grillenberger, Michael Rüb und Wolfgang Witthuhn
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