Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.10: Talk

Monday, March 17, 1997, 17:45–18:00, H3

Präzisionsbestimmung der atomaren Struktur von 6H- und 4H-SiC — •Andreas Bauer¹, Ludwig Dressler¹, Konrad Goetz¹, Jürgen Kräuslich¹, Peter Kuschnerus¹, Jürgen Wolf¹, Peter Käckell² und F. Bechstedt² — ¹Institut für Optik und Quantenelektronik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena — ²Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Mit Präzisions-Röntgendiffraktometrie und parameterfreien Dichtefunktionalrechnungen wurde die innere Struktur der Polytypen 6H und 4H von SiC untersucht.Das Verhältnis der Gitterkonstanten c/na (n=4,6) ist in Theorie und Experiment nahezu identisch. Die Beträge der Strukturfaktoren von „fast verbotenen Reflexen“wurden experimentell bestimmt. Ein Vergleich mit den berechneten Srtukturfaktoren f/ür ein Modell mit kräftefreien Atompositionen ergab gute Übereinstimmung.

Börps!