Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.6: Talk

Monday, March 17, 1997, 16:45–17:00, H3

Wachstumsmodell f"ur die Homoepitaxie von SiC — •A. Fissel¹, K. Pfennighaus¹, U. Kaiser¹, B. Schr"oter¹, J. Furthm"uller², P. K"ackell², W. Richter¹, and F. Bechstedt² — ¹FSU Jena, Institut f"ur Festk"orperphysik, Max-Wien-Pl. 1, 07743 Jena — ²FSU Jena, Institut f"ur Festk"orpertheorie und theoretische Optik, Fr"obelstieg 1

Bei der Epitaxie von SiC stehen zwei Hauptprobleme im Vordergrund. Einerseits ist f"ur die Abscheidung defektarmer Schichten ein exaktes Lage-f"ur-Lage-Wachstum erforderlich. Andererseits ist die definierte Abscheidung von speziellen SiC-Polytypen und Polytypen-"Ubergittern von gro"sem Interesse. Hinsichtlich der Abscheidung defektarmer Schichten konnten notwendige Versuchsparameter erarbeitet werden, die in einem engen Zusammenhang mit einer Si-Stabilisierung der Oberfl"ache stehen. Dies konnte auch durch j"ungste Berechnungen zu dieser Thematik gezeigt werden. Komplexer sind die Probleme im Zusammenhang mit der Abscheidung bzw. dem Auftreten verschiedener Polytypen. Thermodynamische Betrachtungen f"uhren zum Ergebnis, da"s die hexagonale Phase unter Bedingungen nahe dem Gleichgewicht bevorzugt ist. Solche gleichgewichtsnahen Bedingungen k"onnen bei der MBE von SiC auch in tiefen Temperaturbereichen von 900-1000^∘C realisiert werden, wenn geeignete Si-reiche Oberfl"achen"uberstrukturen eingestellt werden. Andere Einfl"usse wie Verspannungen und Oberfl"achendefekte werden im Zusammenhang mit dem verst"arkten Auftreten der kubischen Phase diskutiert. (gef"ordert durch die DFG im Sonderforschungsbereich 196)