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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.15: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 19:00–19:15, H3

Wachstum von 4H- und 6H-SiC Volumen-Einkristallen nach dem modifizierten Lely-Verfahren — •Norbert Schulze, Volker Heydemann, Donovan L. Barrett und Gerhard Pensl — Inst. f. Angewandte Physik, Univ. Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen

4H- und 6H-SiC Volumen-Einkristalle wurden nach dem modifizierten Lely-Verfahren gezüchtet. Dabei wurde der Einfluß von Züchtungsparametern, wie z.B. Zugabe von elementarem Si-Pulver zum SiC-Quellenmaterial, Polarität und Orientierung der Saatkristall-Oberfläche und thermische Bedingungen im Züchtungsraum, auf das Wachstum der SiC-Kristalle untersucht. Dies führte zu der Bestimmung von Parameterbereichen, in denen 4H- bzw. 6H-SiC Einkristalle gewachsen werden konnten. Die gleichzeitige Züchtung auf zwei Saatkristallen (dual-seed- crystal-method) ermöglichte den direkten Vergleich des Einflusses unterschiedlicher Saatkristalleigenschaften auf den gewachsenen SiC-Kristall bei ansonsten identischen Züchtungsbedingungen. Mittels optischer und elektrischer Charakterisierungsmethoden wurden insbesondere Unterschiede in der Defektbildung und beim Einbau des Stickstoffdonators bei Kristallen, die auf der Si-Seite bzw. auf der C-Seite gewachsen sind, festgestellt.