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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.7: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 17:00–17:15, H3

Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit von 3C-SiC mit Ramanspektroskopie — •S. Rohmfeld, M. Hundhausen und L. Ley — Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, 91058 Erlangen

Wir haben die Wärmeleitfähigkeit von 3C-SiC Proben mit rein optischen Methoden bestimmt. Die von uns untersuchten Proben sind (100)3C-SiC von etwa 3 µm Dicke, das epitaktisch durch CVD auf (100)Si-Substrat abgeschieden wurde. Von der Rückseite des Si-Substrats her wurde ein quadratisches Fenster von einer Größe von 3× 3 mm² herausgeätzt. Mit einem Laser wurde das Zentrum der SiC-Membran erhitzt, und die Temperatur aus dem Stokes/Antistokes- Intensitätsverhältnis der Ramanlinien bestimmt. Die laserinduzierte Temperaturerhöhung als Funktion der Laserleistung ergibt nach Lösung der Wärmeleitungsgleichung die Wärmeleitfähigkeit. Das Ergebnis für die Wärmeleitfähigkeit wird in Abhängigkeit von der Dotierung und der Polykristallinität der Probe diskutiert.