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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.14: Talk

Monday, March 17, 1997, 18:45–19:00, H3

Elektrochemisches Ätzen von 6H-Siliziumkarbid — •Stefan Rysy und Reinhard Helbig — Lehrstuhl für Angewandte Physik, Staudtstr. 7/A3, 91058 Erlangen

SiC verschiedener Dotierung wurde mit Flußsäure elektrochemisch geätzt. Bei p-dotiertem 6H-SiC hingen die Ätzrate (bis zu 1,5µ m/min) und die resultierende Oberflächenmorphologie empfindlich von Spannung und HF-Konzentration ab. Hierbei wurde die elektrochemische Valenz zu 6,3± 0,5 Elementarladungen pro SiC-Molekül bestimmt. Bei p-n-Übergängen (p-Schicht auf n-Substrat, 6H-Polytyp) konnte mit UV-Beleuchtung ein selektives Ätzen der p-Epischicht erzielt werden, so daß ein Ätzstop am p-n-Übergang eintrat. Bei einem planaren 6H-4H-Polytyp-Übergang (homogen n-dotiert) konnte mit UV-Beleuchtung der 4H-Bereich selektiv geätzt und somit der Polytyp-Übergang „markiert“ werden. Ersetzt man HF durch HCl, findet kein Ätzen, sondern die Bildung einer bis zu 8µ m dicken SiO₂-Schicht statt (mit RBS untersucht).