Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.8: Talk

Monday, March 17, 1997, 17:15–17:30, H3

Charakterisierung von dünnen Siliciumkarbid-Schichten mit spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner¹, S. Pjech², A. Gerasimovitsch² und V. Cimalla³ — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, 98684 Ilmenau — ²Belorussische Staatliche polytechnische Akademie, 220027, Skaryna Ave. 65, Minsk — ³TU Ilmenau, Institut für Festkörperelektronik, PF 100565, 98684 Ilmenau

Durch Karbonisierung von Si-Wafern in einer Propanatmosphäre hergestellte dünne SiC-Schichten werden mit spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Die von uns verwendeten Proben besitzen eine (100) und (111) Orientierung. Die SiC-Schichten haben eine kubische Modifikation (3C). Die Karbonisierung wird bei Propankonzentrationen von 0.015% und 0.025% und Prozeßzeiten bis 60s durchgeführt. Die Substrattemperatur beträgt dabei 1540 K. Die Abhängigkeit der Schichtdicke von der Prozeßzeit bei der Karbonisierung wird von uns an Hand von 4 verschiedenen Modellen untersucht. Probleme mit der Oberflächenrauhigkeit der SiC-Schicht bei ellipsometrischen Messungen werden diskutiert. Durch den Einsatz von EMA- bzw. Graded-Layern in den Schichtmodellen berücksichtigen wir die Rauhigkeit. Weiterhin werden die optischen Konstanten der SiC-Schichten bestimmt. Röntgen-, AFM-Messungen und Messungen mittels Augerelektronen Spektroskopie ergänzen die ellipsometrischen Untersuchungen.