Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.9: Talk

Monday, March 17, 1997, 17:30–17:45, H3

Identifikation von Chrom und Vanadium Störstellen in 4H-Siliziumkarbid — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Falk Günther, Michael Rüb und Wolfgang Witthuhn — Institut für Festkörperphysik,Universität Jena, Max Wien Platz 1, 07743 Jena

Epi-Schichten von n-Typ 4H-SiC wurden mittels Rückstoßimplantation (Tandembeschleuniger der Univ. Erlangen-Nürnberg) mit den radioaktiven Isotopen ⁴⁸V und ⁵¹Cr implantiert und bei 1600K ausgeheilt. Während der Elementumwandlung zu den Tochterelementen ⁴⁸Ti bzw. ⁵¹V wurden mehrfach DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) Messungen durchgeführt um Eigenschaften und Konzentrationen tiefer Störstellen zu bestimmen. Drei Störstellen (Energieniveaus 0.15, 0.18 und 0.74 eV unter E_C) verschwinden während des ⁵¹Cr Zerfalls entsprechend der nuklearen Halbwertszeit und enthalten deshalb genau ein Cr Atom. Eine Vanadium-korrelierte Störstelle (E_C-0.97 eV) wird sowohl als Tochteratom nach dem ⁵¹Cr Zerfall als auch während des ⁴⁸V Zerfalls identifiziert und als Vanadium-Akzeptor interpretiert, dessen energetische Lage bislang kontrovers diskutiert wurde. Die Bandlückenzustände von V und Cr werden mit unseren entsprechenden Experimenten an 6H SiC verglichen.