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16:00 |
HL 21.1 |
Laserkristallisation von amorphen Si-Filmen auf Glas mit Kurzpulslasern im sichtbaren Wellenlängenbereich — •Christian Mühlig, Gudrun Andrä, Joachim Bergmann, Fritz Falk und Ekkehard Ose
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16:15 |
HL 21.2 |
Photo-und Elektrolumineszenz in Er-dotiertem a-Si:H bei 1.54 µm* — •E.I. Terukov, I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, H. Kühne, G. Weiser und W. Fuhs
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16:30 |
HL 21.3 |
β-NMR-Messungen an implantiertem 12B in a-Si:H und µc-Si:H — •F. Mai, K.-H. Ergezinger, M. Füllgrabe, M. Heemeier, B. Ittermann, F. Kroll, K. Marbach, P. Meier, D. Peters, H. Thiess, H. Ackermann und H.-J. Stöckmann
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16:45 |
HL 21.4 |
Zeitaufgelöste Messungen der Photolumineszenz an amorphem wasserstoffhaltigem Kohlenstoff — •W. Lormes, M. Hundhausen und L. Ley
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17:00 |
HL 21.5 |
Charakterisierung von Si–Nanostrukturen, hergestellt durch Laser–Annealing — •G. Groos und M. Stutzmann
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17:15 |
HL 21.6 |
Beschleunigte Degradation von amorphem hydrogenisiertem Silizium mittels Xenon-Blitzlampen — •D. Ellenberger, F. Diehl, B. Schröder und H. Oechsner
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17:30 |
HL 21.7 |
Kritische Analyse des Photostromabfalls in amorphen Halbleitern — •R. Br"uggemann and H. Cordes
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17:45 |
HL 21.8 |
Elektronische Charakterisierung von amorphem SiOx — •U. Karrer, R. Janssen, C.E. Nebel und M. Stutzmann
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18:00 |
HL 21.9 |
Elektronische Eigenschaften von Laserinterferenz-rekristallisiertem µc–Si — •B. Dahlheimer, U. Karrer, C.E. Nebel und M. Stutzmann
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18:15 |
HL 21.10 |
Spinabhängiger Transport in a-Si:H bei verschiedenen Mikrowellenfrequenzen — •M. W. Bayerl, M. S. Brandt und M. Stutzmann
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18:30 |
HL 21.11 |
Lichtemittierende Dioden auf der Basis amorpher Silizium Suboxide — •R. Janssen, U. Karrer, D. Dimova-Malinovska und M. Stutzmann
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18:45 |
HL 21.12 |
Laser interference crystallization of amorphous germanium — •M. Mulato, D. Toet, G. Aichmayr, P.V. Santos, and I. Chambouleyron
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19:00 |
HL 21.13 |
Wasserstoffeinfluß auf die Deposition von mikrokristallinem Silizium — •I. Beckers, N.H. Nickel und W. Fuhs
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