Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 16:30–16:45, H4

β-NMR-Messungen an implantiertem ¹²B in a-Si:H und µc-Si:H — •F. Mai, K.-H. Ergezinger, M. Füllgrabe, M. Heemeier, B. Ittermann, F. Kroll, K. Marbach, P. Meier, D. Peters, H. Thiess, H. Ackermann und H.-J. Stöckmann — Philipps-Universität Marburg, Fachbereich Physik, D-35032 Marburg

Die Methode der β-strahlungsdetektierten Kernspinresonanz wird eingesetzt zur Gitterplatzbestimmung isolierter Dotieratome nach Implantation. In früheren Messungen an ¹²B in kristallinem Si wurden die Borkerne sowohl auf substitutionellen als auch auf interstitiellen Plätzen nachgewiesen. Bei T=360K läßt das β-NMR-Signal der Borkerne in a-Si:H und µc-Si:H auf eine breit verteilte Defektstruktur in der Umgebung schließen. Als primärer Defekt nach der Implantation wird dabei im µc-Si:H mit nahezu 100%-igem kristallinem Volumengehalt der aus dem kristallinem Si bekannte interstitielle Platz vermutet. Aufgrund der schnellen Zwischengitterdiffusion erreichen die Sondenkerne die Korngrenzen, und heilen nicht wie im kristallinem Si nach langreichweitiger Wanderung auf substitutionelle Plätze aus. Der Vergleich der β-NMR-Spektren in a-Si:H und µc-Si:H zeigt, daß die Einbauplatzumgebung in den Korngrenzen des µc-Si:H qualitativ von der amorphen Umgebung unterschieden werden muß.

Gefördert im SFB 383.