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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.2: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 16:15–16:30, H4

Photo-und Elektrolumineszenz in Er-dotiertem a-Si:H bei 1.54 µm^* — •E.I. Terukov¹, I.N. Yassievich¹, M.S. Bresler¹, O.B. Gusev¹, A.N. Kuznetsov¹, H. Kühne², G. Weiser² und W. Fuhs³ — ¹Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg — ²FB. Physik der Universität Marburg — ³Hahn-Meitner-Institut, Berlin

Durch Ko-Sputtern von Si und Erbium in einer Silan Magnetron Plasma Entladung wurde a-Si:H mit Er dotiert. Der Gehalt der Proben an Er, O und H wurde durch RBS und SIMS bestimmt und die Depositionsparameter auf die Er-Lumineszenz hin optimiert. Die Proben zeigen eine intensive Photolumineszenz bei 1.54 µ m und bei Sperrspannung an Al/a-Si:H(Er)/n-c-Si/Al Strukturen auch Elektrolumineszenz. Die Lumineszenz w ächst zunächst linear und sättigt sich bei hohen Leistungen und Strömen. Im Sättigungsbereich ist die Lumineszenz kaum temperaturabh ängig, bei kleinen Pumpleistung wird thermische Tilgung beobachtet mit einer Aktivierungsenergie von 250meV oberhalb 250K. Abklingzeiten der Er-Lumineszenz von 20 bis 8µ s zwischen 77 und 300K können dieses Verhalten nicht völlig erklären. Die Daten werden mit einem Modell verglichen, das auf Auger Anregung des Erbium Ions durch Defektlumineszenz des a-Si:H basiert.

^* gefördert von der Volkswagen-Stiftung.