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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.7: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:30–17:45, H4

Kritische Analyse des Photostromabfalls in amorphen Halbleitern — •R. Br"uggemann and H. Cordes — Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universit"at Oldenburg, 26111 Oldenburg

Der Photostromabfall nach Abschalten einer station"aren Beleuchtung der Probe wird zur Charakterisierung von Rekombination und Transport in amorphen Halbleitern verwendet. In der Literatur werden drei unterschiedliche analytische Ans"atze vorgestellt, die diesen Abfall der "Uberschu"sladungstr"ager beschreiben. Der Vergleich der analytischen L"osungen, die auf jeweils verschiedenen Approximationen beruhen, ergibt kein "ubereinstimmendes Bild. Wir haben daher den Photostromabfall unter L"osung aller relevanten Ratengleichungen f"ur freie und getrappte Ladungstr"ager numerisch modelliert, um die Verl"a"slichkeit der analytischen L"osungen zu pr"ufen. Dabei zeigt sich ein weites Spektrum im Vergleich der analytischen und numerischen L"osungen bei niedriger bzw. hoher Photogenerationsrate. Keine der analytischen L"osungen beschreibt den Photostromabfall generell richtig. Eine relativ gute "Ubereinstimmung zwischen analytischer und numerischer L"osung beschr"ankt sich auf kleine Zeitfenster im Abfall.