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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.5: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 17:00–17:15, H4

Charakterisierung von Si–Nanostrukturen, hergestellt durch Laser–Annealing — •G. Groos und M. Stutzmann — Walter Schottky – Institut (TU München), Am Coulombwall, D–85748 Garching

Mit einem erweiterten Laserrekristallisationsverfahren wurden aus amorphen Siliziumschichten mikrokristalline Drähte und Punkte mit Dimensionen unter 100 nm und Perioden im sub–µm–Bereich auf Flächen von mehreren mm² hergestellt; sie sind so den gängigen Charakterisierungsmethoden wie Photolumineszenz, Ramanstreuung oder optischer Spektroskopie zugänglich.

Es wurden die Abhängigkeit der optischen Eigenschaften von der Strukturgröße, sowie mit einem modifizierten Kraftmikroskop (AFM) die elektrischen Eigenschaften von einzelnen Strukturen charakterisiert. Die elektrische Leitfähigkeit von Streifen kann 10 S/cm erreichen, hängt jedoch sehr von der erfolgten Behandlung der Strukturen ab.

Nach der eigentlichen Strukturierung wurden verschiedene Zusatzschritte durchgeführt, wie etwa weitere Laserbestrahlungen (cw oder gepulst) oder Ätzprozesse, und untersucht, wie sie Morphologie und Kristallitgröße beeinflussen bzw. wie gut sie sich eignen, die Strukturgröße einzustellen.