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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.9: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 17:30–17:45, H4

Untersuchung des Facettenwachstums bei selektiver Epitaxie auf= Si(100) — •K. Grimm, L. Vescan, K. Szot und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-54245 Jülich

Selektive Epitaxie bietet die Möglichkeit, die Limitierung der Integrationsdichte von Halbleiterbauelementen durch Photolithographie zu überwinden. Die dabei auftretende Facettierung der Wachstumsmesen ist in diesem Zusammenhang von besonderem Interesse, da eine Kenntnis ihrer Dimensionierung für das Design sowie die Herstellung auf diesem Prinzip basierender vertikaler Bauelemente unabdingbar ist. Epitaktische Schichten wurden mittels LPCVD auf mit SiO₂ strukturierten Si(100)-Substraten im Temperaturbereich zwischen 700^∘C und 800^∘C hergestellt. Die am Si/SiO₂-Interfaceentstandenen Facetten wurden in Hinsicht auf ihren Winkel gegenüber der (001)-Ebene (AFM und TEM) sowie ihre Wachstumsrate untersucht.