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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.51: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Uniaxiale und planare Verspannung von Störstellenkomplexen in ZnSe/GaAs Schichten — •L. Worschech, W. Ossau, H. Schäfer und G. Landwehr — Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Mit Hilfe der Photolumineszenzspektroskopie werden die planare und uniaxiale Verspannung in epitaktisch gewachsenen ZnSe/GaAs-Schichten untersucht. Die Feinstruktur von Störstellenkomplexen in Abhängigkeit der Verspannung wird analysiert und im Rahmen einer Invariantenmethode mit der Aufspaltung der Leicht- und Schwerlochkomponente des freien Exzitons verglichen. Anhand des Zeeman-Effekts kann sowohl die effektive Verspannung der Störstelle als auch des Exziton-Störstellenkomplexes bestimmt werden. Eine drastische Verringerung des linearen Polarisationsgrads der Y₀-Linie bei 2.61 eV wurde für ZnSe-Schichten beobachtet, die gerade zu relaxieren beginnen. Diese Beobachtung stellt einen direkten, optischen Nachweis des gerichteten Einbaus von ausgedehnten Defekten dar.