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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.81: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Fe auf MBE-GaAs(100): Spektroskopische Untersuchungen dünner Schichten — •T. Wiegner, F. Herrmann, T. Franke und M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Die Grenzflächen von dünnen Fe-Aufdampfschichten der Dicke 0,05 bis 5nm auf GaAs(100) wurden in-situ mit röntgen- und ultraviolettangeregter Elektronenspektroskopie (XPS, UPS) und Elektronenbeugung (LEED) untersucht. Auf das MBE-gewachsene GaAs-Substrat wurde zum Schutz vor Kontamination beim Transport zwischen den UHV-Anlagen ein As-Cap aufgebracht. Dieses wurde durch Tempern wieder entfernt. Die anschließende LEED-Beobachtung erlaubte eine Kontrolle der nunmehr sauberen, rekonstruierten Oberflächen. Diskutiert werden die chemischen Bindungsverhältnisse des Fe mit dem Substrat sowie die Intensitätsmodulation der Fe- und Substratsignale bei wachsender Fe-Schichtdicke, welche Rückschlüsse auf das Segregationsverhalten der obersten Substratlage(n) erlauben. Es wird die Ausbildung des metallischen Charakters der Oberfäche untersucht. Oxidationseffekte auf Substrat und Aufdampfschicht werden diskutiert.