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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Ultrakurzzeitdynamik
HL 16.3: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 11:00–11:15, H4
Bindungsenergieverteilung und Dephasieren von lokalisierten Biexzitonen — •W. Langbein1, M. Umlauff2, J.M. Hvam1, H. Kalt2, M. B.Jobst3, and H. D.Hommel3 — 1Mikroelektronik Centret, The Technical University of Denmark, Building 345 east, DK–2800 Lyngby, Denmark — 2Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — 3Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, D-28334 Bremen
Die Bindungsenergieverteilung von lokalisierten Biexzitonen in dünnen ZnSe Quantenfilmen wird durch Vier-Wellen-Mischung bestimmt. Sie besitzt eine Breite von 2.2 meV zentriert bei 8.5 meV, und ist im wesentlichen unabhängig von der Exzitonenlokalisierungstiefe. Diese Verteilung spiegelt den Einfluß der Form des Lokalisierungspotentials auf die Elektron–Loch Korrelation bei konstanter Lokalisierungstiefe wieder. Das Biexzitonenphotonenecho zeigt einen schnellen und nichtexponentiellen Zerfall mit zunehmender Verzögerungszeit, der von der inhomogenen Verbreiterung der Biexzitonenbindungsenergie bestimmt ist. Dies wird durch den Vergleich mit einer analytischen Modellrechnung basierend auf dem Ansatz in [1] bestätigt. Der schnelle Zerfall des Biexzitonensignals is daher nicht Nachweis eines schnellen mikroskopischen Dephasierens [2], sondern ergibt sich aus dem unvollkommenen Rephasieren der Biexzitonenpolarisation zum Photonenecho.
[1] J.Erland et al., Phys. Rev. B 50, 15047 (1994)
[2] J.-Y.Bigot, et al., Phys. Rev. Lett. 71, 1820 (1993)