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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Ultrakurzzeitdynamik

HL 16.8: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 12:15–12:30, H4

Dephasierung von Bloch-Oszillationen durch Ladungsträger–Ladungsträgerstreuung — •R. Martini¹, F. Wolter¹, G. Klose¹, H.G. Roskos¹, H.T. Grahn², R. Hey², K. Ploog² und H. Kurz¹ — ¹Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH Aachen — ²Paul–Drude–Institut

Die Ladungsträgerdichte–Abhängigkeit der Dephasierung von Bloch Ozillationen in einem GaAs/AlGaAs–Übergitter wird untersucht. Dazu wird die Probe über Femtosekunden–Laserpulse unterschiedlicher Leistung angeregt und das abgestrahlte kohärente THz–Signal mittels photokonduktiver Antenne detektiert. Es zeigt sich ein linearer Zusammenhang zwischen der aus der Dephasierung resultierenden homogenen Linienbreite und der Dichte der angeregten Ladungsträger. Diese lineare Abhängigkeit läßt sich über Ladungsträger–Ladungsträgerstreuung erklären [1]. Anregung im Bereich der Exzitonresonanz bzw. im Kontinuum ergibt keine nenneswert unterschiedlichen Streuraten. Für kleine Anregungsdichten dominiert eine dichteunabhängige Linienbreite, die aus Topfbreitenfluktuationen resultiert.

[1] J.Kuhl, A.Honold, L.Schultheis und C.W.Tu, Festkörperprobleme / Advances in Solid State Physics. Vieweg, Braunschweig, Germany, 1989