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HL: Halbleiterphysik
HL 19: Si/Ge II
HL 19.11: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 18:30–18:45, H2
Ellipsometrische Untersuchungen an Si/Ge MQW — •M. Broschwitz, K. Litfin, M. Vergöhl, K. Dettmer und J. Schoenes — Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, D-38106 Braunschweig
An Si/Ge-Multiquantumwellstrukturen auf (001)-Silizium wurden im Spektralbereich der Interbandübergänge zwischen 1.0eV und 4.5eV ellipsometrisch die pseudodielektrischen Funktionen bestimmt.
Zusammen mit den Messungen werden Anpassungsrechnungen diskutiert. Dabei wird der Frage nachgegangen, ob ein besonders starker Übergang bei 3.1eV - 3.2eV auf die spezielle modulationsdotierte MQW-Struktur oder auf verspannte Si/Ge-Quantentöpfe zurückgeführt werden kann. Der bei dieser Photonenenergie erwartete E0′- Übergang kann an reinen Siliziumschichten ellipsometrisch nicht nachgewiesen werden.