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HL: Halbleiterphysik
HL 19: Si/Ge II
HL 19.8: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 17:45–18:00, H2
Phononenspektroskopie an Germanium-reichen SiGe-Kristallen — •K.F. Dombrowski1, M. Franz1, K. Pressel1, B. Dietrich1, A. Barz2, P. Dold2 und K.W. Benz2 — 1Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder) — 2Kristallographisches Institut der Universität Freiburg, Hebelstr. 25, 79104 Freiburg
Mit Raman- und Infrarotabsorptionsspektroskopie untersuchen wir das Phononenspektrum Ge-reicher GeSi Kristalle. Hochaufgelöste Absorptionsmessungen an der lokalen Gitterschwingung des Siliziumatoms im Germaniumgitter bei 385 cm−1 zeigen eine Feinstruktur, die im Hinblick auf Isotopieeffekt und Nahordnung diskutiert wird. Im Bereich der akustischen Phononen beobachtet man schon bei geringen Si-Anteilen Beiträge, die in reinem Germanium nicht beobachtet werden. Diese Aufweichung der Auswahlregeln im Mischkristall beobachten wir auch auf der Si-reichen Seite. Ramanmessungen an Proben mit zunehmendem Si-Anteil zeigen eine stetige Abnahme der Energie der Ge-Ge Mode im Bereich 300 cm−1. Im Bereich der GeSi Moden bei etwa 400 cm−1 beobachten wir eine Aufspaltung der Ramanlinien, deren Intensitätsverhältnisse sich mit wachsendem Si-Anteil verändern. Eine Mode kann den GeSi Phononen zugeordnet werden, die andere der lokalisierten Gitterschwingung des Si-Atoms im Ge-Kristall, die mit wachsendem Ge-Anteil immer schwächer wird.