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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.100: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Energieabhängige ultraschnelle Elektronendiffusion in Schichtstrukturhalbleitern — •A. Rettenberger¹, M. Probst², R. Haight³ und P. Leiderer¹ — ¹Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — ²IV. Physikal. Institut, Universität Stuttgart, D-70550 Stuttgart — ³IBM, Yorktown Heights, N.Y. 10598, USA

Die Elektronendynamik der Schichtstrukturhalbleiter WSe₂ und MoSe₂ wurde mit Femtosekunden-Laser-Photoemission untersucht. Optische Anregung mit 200 fs Pulsen von 2.03 eV erzeugt ein heißes Elektronengas mit erheblicher Überschußenergie gegenüber dem Leitungsbandminimum. Unsere Messungen zeigen eine starke transiente Überhöhung der Diffusionsgeschwindigkeit der hochangeregten Elektronen. Außerdem konnte gezeigt werden, daß die Oberflächen dieser Schichthalbleiter elektronisch außergewöhnlich gut passiviert sind, und wir erhalten eine obere Grenze von 5 x 10⁻¹⁰/cm² für die Dichte der elektronisch aktiven Defekte in der Bandlücke.

Gefördert von der Deutschen Forschungsgemeinschaft durch SFB 513