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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.102: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z
Anregungskinetik eines Elektron-Loch-Plasmas im Halbleiter — •U. Moldzio, G. Manzke und K. Henneberger — Fachbereich Physik, Universität Rostock, D-18051 Rostock
Wir untersuchen die laserinduzierte Dynamik eines Elektron-Loch
Plasmas in einem Halbleiter (GaAs) durch Lösung
der Halbleiter-Blochgleichungen.
Es wird gezeigt, daß Coulomb-Streuprozesse in den untersuchten
Dichtebereichen von 10−17 − 10−18 cm−3 wesentlich durch
den Einfluß von Plasmonen bestimmt sind.
Diese gehen über das dynamisch
abgeschirmte Potential in die Stoßintegrale der Ladungsträger und der
Interbandpolarisation ein.
Im Verlauf der Anregung erzeugt der Laserpuls scharf gepeakte
Ladungsträgerverteilungen, es tritt jedoch kein sogenanntes
peak-scattering mit Streuzeiten von unter 10 fs auf, wie es für extreme
Nichtgleichgewichtsverteilungen (Gauß-Verteilungen) möglich ist.
Resultate für verschiedene Abschirmmodelle
(Lindhard-Formel, RPA mit Dämpfung der Einteilchenzustände und statische
Abschirmung) werden gegenübergestellt. Die jeweiligen Streuraten weichen
z.T. stark voneinander ab und beeinflussen insbesondere die Form des
Anregungspeaks in den Verteilungen.
Vernachlässigt man Ein-Streuprozesse
zwischen der kohärenten Polarisation und den Ladungsträgern,
sind die durch den Puls erzeugten Ladungsträgerdichten
nahezu doppelt so groß.
Sie verringern zudem den durch Ausstreuung hervorgerufenen Zerfall der
Polarisation, der in üblicher Weise durch eine Dephasingrate beschrieben wird.