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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.105: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Photoelektrische Methoden zur Untersuchungen flacher Störstellen in n-leitendem GaN. — •V. Syganow, A. Dörnen, H. Bolay und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart

Wir untersuchen nominell undotierte stark n-leitende MOVPE-GaN-Schichten, mit dem Ziel, die flachen Donatoren zu detektieren, die für die hohe intrinsische Ladungsträgerdicte verantwortlich sind. Dabei werden sowohl theoretische Berechnungen als auch neue Messmethoden diskutiert, mit denen elektrisch aktive Zustände erkannt werden können, die sich sowohl dicht unterhalb der Leitungsbandkante als auch im Leitungsband befinden.
Die Untersuchungen an unseren Proben haben gezeigt, dass das Material bei tiefen Temperaturen entartetet ist. In unseren Proben können wir mit dieser Methode flache elektrisch aktive Zustände nachweisen.