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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.14: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Charakterisierung des Polytyps von SiC-Schichten in Elektronen-Channeling-Diagrammen — •B. Schröter, A. Fissel, K. Pfennighaus und W. Richter — FSU Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Pl. 1, 07743 Jena

Siliziumkarbid kristallisiert in einer Vielzahl von Polytypen mit unterschiedlicher Bandlücke, deren unterschiedliche Stapelung in Form von Heterostrukturen und Supergittern neue Materialien mit interessanten Eigenschaften erwarten läßt. Neben der Aufgabe der gesteuerten Abscheidung definierter SiC-Einkristallschichten, zum Beispiel mit MBE, müssen zur Charakterisierung des Polytyps der dünnen Schichten und deren Perfektion geeignete Methoden gefunden werden.

Mit den bekannten Elektronen-Channeling-Diagrammen (ECP) können Symmetrie und Orientierung von Einkristallen bestimmt werden. Aufgrund der relativ starken Wechselwirkung der Elektronen im Festkörper sind Aussagen auch für dünne Schichten möglich, wobei ein definierter Channeling-Kontrast nur für homogene einkristalline Schichten entsteht. Mit ECP können die Polytypen von 4H- und 6H-SiC unterschieden werden. SiC-Schichten, die wir mit MBE auf Si(111) hergestellt haben, zeigen im ECP die dreizählige Symmetrie des kubischen Polytyps.

(Gefördert durch die DFG im Sonderforschungsbereich 196)