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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.15: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Vergleichende rasterkraft- und elektronenmikroskopische Untersuchungen von SiC-Schichten auf Si(111), Si(110) und Si(100)-Substraten — •J. Jinschek, U. Kaiser, K. Pfennighaus, A. Fissel und W. Richter — FSU Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Pl. 1, 07743 Jena

Eine Bedingung für zukünftige Bauelemente auf SiC-Basis mit kontrollierbarer Bandlücke ist die defektarme Abscheidung verschiedener Polytypen, die defektarme, akkurat glatte Substratoberflächen voraussetzt. Für die Heteroepitaxie auf Si ist dieses aufgrund des großen Gittermisfits von 21% eine Herausforderung.

Es wird eine systematische Untersuchung des Einflusses der Substrattemperatur, der Schichtdicke, der Tempertemperatur und des Bedampfungsregimes (MBE, simultane oder alternierende Bedampfung aus je einer Si- und C-Feststoffquelle) auf die Rauhigkeit der Si-Bufferschichtoberfläche und dieser sowie der genannten Parameter auf die Perfektion und Struktur der gewachsenen SiC-Schicht vorgestellt. Die Messungen wurden an ein und derselben Probenstelle nach verschiedenen Prozeßschritten mit dem AFM und anschließend im Querschnitt und plan view mit dem TEM vorgenommen. Es werden u.a. die Entstehung von Löchern im Si-Substrat als Folge des Si-Defizits in der wachsenden Schicht und deren Geometrie als Folge der unterschiedlichen Substratorientierung diskutiert.