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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.21: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Selbst-organisierte Quantenpunktstrukturen in stark verspannten (Zn,Cd)Se-Quantengräben — •M. Lowisch¹, M. Rabe¹, B. Stegemann¹, F. Henneberger¹, M. Grundmann², V. Türck² und D. Bimberg² — ¹Humboldt-Univ. zu Berlin — ²Techn. Univ. Berlin

Die untersuchten (Zn,Cd)Se/ZnSe-Quantenstrukturen wurden mittels MBE auf GaAs gezüchtet. Das Probendesign ist vergleichbar mit stark verspannten III-V Quantengräben, die für die spontane Bildung null-dimensionaler (0D) Strukturen bekannt sind. Die erforderliche Verspannung der 2.5 nm dicken Gräben wird durch einen hohen Cd-Gehalt (x=0.35) erreicht. Kathodolumineszenzmessungen mit 50 nm Ortsauflösung zeigen ein 40 meV breites Lumineszenzband. Am niederenergetischen Ausläufer beobachtet man scharfe Linien auf dem glatten Lumineszenzuntergrund. Die lateral ortsaufgelöste Messung der Lumineszenzintensität für ausgewählte Spektralpositionen zeigt, daß diese Linien aus lokal deutlich abgegrenzten Bereichen emittiert werden, deren Größe mit dem Bohr Radius des Exzitons skaliert. Diese Ergebnisse belegen die Bildung eines 0D-Subsystems. Die Energierelaxation wird durch drei Arten optischer Phononen gesteuert, die in Photolumineszenz (PL) unter resonanter Anregung gefunden wurden. Dieses Ergebnis steht im Kontrast zum Ein-Moden-Verhalten des Mischkristalls und weist somit auch auf Substrukturen hin. Die Ergebnisse werden durch zeitabhängige PL und Messungen zur Exzitonendiffusion bestätigt. Wurtzit-Inseln, Segregation und Mischungslücken sind mögliche Ursachen der Strukturbildung.