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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.50: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z
In-situ Untersuchungen zum Wachstum von CdS auf ZnS (001) in der MOVPE mittels Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie — •C. Meyne, S. Peters, U. W. Pohl, J.-T. Zettler und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin
Ausgehend von Erkenntnissen an III/V -Quantendot-Systemen wurde
mögliches Stranski-Krastanow Wachstum von II/VI - Halbleitern in der
MOVPE untersucht.
Das Materialsystem CdS auf ZnS (001) zeichnet sich durch eine hohe
Gitterfehlanpassung (> 7%) und durch einen Typ I - Übergang aus.
ZnS (001) Bufferschichten wurden auf GaP (001) Substrat bei 340oC
gewachsen und anschließend CdS Schichten im Monolagenbereich
abgeschieden. In-situ Untersuchungen mittels
Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie deuten auf verschiedene
Wachstumsphasen hin, die dem Übergang von 2D zu 3D Wachstum
zuzuordnen sind. Die bei verschiedenen Wachstumsparametern erhaltenen
optischen Daten wurden durch Charakterisierung der
Oberflächenmorphologie ex-situ im AFM ergänzt.