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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.56: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Einfluß der InAs-Bedeckung auf die elektronische Struktur von InAs-Quantenpunkten — •K.H. Schmidt¹, G. Medeiros-Ribeiro², J. Garcia³, P.M. Petroff³, and U. Kunze¹ — ¹Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum — ²Hewlett Packard Co., Palo Alto, CA 94304-1392 — ³QUEST and Materials Dep., UC, Santa Barbara, CA 93106

InAs wurde mit Molekularstrahlepitaxie auf ein feststehendes GaAs-Substrat abgeschieden. Dabei ergibt sich aufgrund einer asymmetrischen Anordnung der In-Zelle eine InAs-Bedeckung, die vom Probenort ab- hängt. Somit lassen sich Quantenpunkte (QDs) unterschiedlicher Größe und Dichte in Abhängigkeit von der InAs Bedeckung studieren. Diesbezüglich wurde durch Messung der Kapazität, Photolumineszenz und Photospannung die elektronische Struktur solcher InAs-QDs untersucht. In allen Spektren ist mit zunehmender InAs-Bedeckung eine Verschiebung der QD-Übergänge zu niedrigeren Energien zu beobachten. Zudem tritt in den Kapazitätsspektren eine Renormierung der Bandlücke des zweidimensionalen Systems der Benetzungsschicht (WL) auf, wenn mit wachsender QD-Größe der erste angeregte QD-Zustand den WL-Grundzustand kreuzt. Die absolute und relative energetische Lage der QD-Energieniveaus gibt Aufschluß über den Einfluß von lateraler Ausdehnung und Höhe eines QDs auf dessen elektronische Struktur.