Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.68: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Anisotroper Magnetowiderstand in klassischen Antidot-Systemen — •M. Tornow¹, D. Weiss^1,2, K. v. Klitzing¹, K. Eberl¹, D. J. Bergman³ und Y. M. Strelniker³ — ¹Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, 70569 Stuttgart — ²Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ³School of Physics and Astronomy, Tel Aviv University, Tel Aviv 69978, Israel

Mittels reaktivem Ionenätzen wurden 300 nm dicke, n-dotierte GaAs-Schichten mit quadratischen Loch-Gittern der Periode 500 nm strukturiert. Für eine Anordnung, bei der das Magnetfeld in der Ebene der Schicht liegt, ist eine ausgeprägte Anisotropie im klassischen Widerstand bei hohen Magnetfeldern zu beobachten. Die charakteristischen Abhängigkeiten vom Winkel zwischen Magnetfeld und mittlerer Stromrichtung stehen in guter Übereinstimmung mit theoretischen Modellrechnungen. In einem einfachen physikalischen Bild läßt sich die beobachtete Anisotropie auf die Wechselwirkung dreidimensionaler Stromverzerrungen zurückführen.