Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 3: Theorie I

HL 3.4: Talk

Monday, March 17, 1997, 11:15–11:30, H2

Energiel"ucken im Dichtefunktional-Formalismus mit abgeschirmter Austauschwechselwirkung — •M. St"adele, J.A. Majewski, and P. Vogl — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching

Als Alternative zum Standard-Kohn-Sham-Verfahren haben wir eine exakte Realisierung der Dichtefunktionaltheorie mit nichtlokalem Einteilchenpotential entwickelt [1]. Wir k"onnen nunmehr das mit der vollen nichtdiagonalen dielektrischen Funktion abgeschirmte Austauschpotential exakt behandeln. Nur die Differenz zum gesamten Austausch-Korrelationspotential wird in lokaler Dichten"aherung (LDA) berechnet. Die Einteilchenenergien in diesem selbstkonsistenten Gesamtenergie-Formalismus sind erheblich bessere N"aherungen zu Anregungsenergien als in LDA. Es werden Energiel"ucken f"ur einige Halbleiter vorgestellt und Methoden zur Verringerung des Rechenaufwands dieses Verfahrens diskutiert.

[1] A. Seidl, A. G"orling, P. Vogl, J.A. Majewski und M. Levy, Phys. Rev. B 53(7), 3764 (1996).