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HL: Halbleiterphysik
HL 30: GaN II
HL 30.1: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 15:30–15:45, H1
Bildung und Stabilität von Akzeptor-Wasserstoff-Paaren in GaN — •A. Burchard1, M. Deicher1, D. Forkel-Wirth2, E.E. Haller3, R. Magerle1, A. Prospero1 und A. Stötzler1 — 1Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — 2ISOLDE-Kollaboration, CERN, CH-1211 Genf 23 — 3University of California, Dept. of Mat. Science, Berkeley CA94270, USA
Wir berichten über erste Ergebnisse zur Bildung von Cd-H-Paaren in GaN mit Hilfe der gestörten γγ-Winkelkorrelation (PAC) unter Benutzung des radioaktiven Akzeptors 111mCd. N-Typ GaN-Schichten auf Saphir wurden mit 111mCd implantiert (60 keV, 5×1011 cm−2) und bei 1100 K getempert. Die H-Beladung erfolgte zwischen 295 K und 425 K durch niederenergetische H+-Implantation (100 eV, 1×1015 cm−2). Bis 323 K bilden etwa 30% der Cd-Akzeptoren zwei Cd-H-Komplexe, die beide durch axialsymmetrische elektrische Feldgradienten charakterisiert sind. Die weniger stabile Konfiguration (νQ = 572(2) MHz) wird nur bis 323 K beobachtet und besitzt eine Symmetrieachse mit einem Winkel von 110(20)∘ zur c-Achse. Der dominierende Cd-H-Komplex (νQ = 362(2) MHz) ist entlang der c-Achse orientiert und stabil bis 550 K, was einer Dissoziationsenthalpie von 1.8 eV entspricht. Die beobachteten Stabilitäten und Symmetrien werden mit theoretischen Rechnungen [1] verglichen.
[1] J. Neugebauer, C.G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 75, 4452 (1995)