Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.9: Talk

Thursday, March 20, 1997, 17:30–17:45, H3

Strukturelle Untersuchung des Epitaxiesystems CuInS₂/Si(111) mit Hilfe von Channelling — •J.-H. Bremer, H. Metzner, Th. Hahn, Chr. Schmiga, and J. Conrad — II. Physikalisches Institut der Universit"at G"ottingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 G"ottingen, Germany

CuInS₂ ist ein aussichtsreicher Kandidat für die Verwendung als Absorber in Solarzellen. Wir haben daher einen MBE-Prozeß zur Herstellung epitaktischer CuInS₂-Schichten entwickelt [1]. Die strukturelle Charakterisierung dieser Schichten erfolgt unter anderem mit Rutherford R"uckstreuung, Channelling und XRD. Die XRD-Messungen zeigen ein ungestörtes epitaktisches Wachstum, Rocking-Kurven weisen Halbwertsbreiten von 0.3^∘ (FWHM) auf. Demgegen"uber ergeben Channelling-Messungen vergleichsweise große Minimum Yields von χ_min≈40% bei Halbwertsbreiten von ψ_1/2≈ 1^∘ (HWHM). Dieser Befund steht somit in einem gewissen Widerspruch zu den Ergebnissen der R"ontgenbeugung. Gezeigt wird, daß das Auftreten von Versetzungen und von bin"aren, nanokristallinen Ausscheidungen im Film diese Diskrepanz erkl"aren k"onnen.

[1] H. Metzner, Th. Hahn, J.-H. Bremer, J. Conrad, Appl. Phys. Lett. 69, 1900 (1996).