Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.10: Talk

Friday, March 21, 1997, 13:15–13:30, H1

Einflu"s der Anregungsenergie auf die Photolumineszenzspektren schwach gekoppelter Einzelquantent"opfe mit unterschiedlichen Breiten — •L. Schrottke¹, H.T. Grahn¹, and K. Fujiwara² — ¹Paul–Drude–Institut f"ur Festk"orperelektronik, Berlin — ²Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan

Zwei gleiche Systeme bestehend aus drei schwach gekoppelten GaAs Einzelquantent"opfen mit Breiten von 3.5, 5.5, und 7.8 nm getrennt durch 36 nm dicke Al_0.17Ga_0.83As Barrieren, die sich nur in der Verwendung von Wachstumsunterbrechungen unterscheiden, wurden mittels Photolumineszenzspektroskopie als Funktion der Anregungsenergie im Bereich von 1.56 eV (Grundzustand des Leitungsbandes des breitesten Topfes) bis 1.78 eV (Bandkante der Barriere) untersucht. Die Intensit"at der Photolumineszenzlinien der drei Einzelquantent"opfe h"angt im ganzen untersuchten Bereich der Anregungsenergie deutlich von dieser ab. Bei beiden Proben zeigt die Photolumineszenzlinie des mittleren Topfes im Anregungsenergiebereich zwischen 1.67 und 1.73 eV mehrere unerwartete, abrupte Verschiebungen um 2 meV. Bei denselben Energien weisen auch die Intensit"aten der Photolumineszenzlinien aller drei Einzelquantent"opfe korrelierte Ver"anderungen auf. Die m"oglichen Ursachen dieser beobachteten Abh"angigkeiten und der Einflu"s der Wachstumsunterbrechung werden diskutiert.