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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.17: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Transportuntersuchungen an geordneten (GaIn)P-MOVPE-Epitaxieschichten — •C. Zimprich1, Ž. Špika1, F. Höhnsdorf1, W. Stolz1, J. Jiang1, A. Schaper1 und P. Werner2 — 1Wiss. Zentrum für Materialwissenschaften und FB Physik bzw. FB Geowissenschaften, Philipps-Universität Marburg — 2Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik Halle a. d. Saale
Der Einfluß der geordneten CuPtB-Domänen auf die Transporteigenschaften von mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) abgeschiedenen (GaIn)P-Volumenkristallen wurde eingehend untersucht.
Dabei wurden der Grad der Ordnung und die Domänengröße über die Wachtumsparameter wie Substrattemperatur oder Stufenkonfiguration des Substrates eingestellt. Die für die Transportuntersuchungen ausgewählten Proben wurden zunächst mittels Raumtemperatur-Photolumineszenz (PL) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) charakterisiert. Weiterhin wurden XRD, 5K-PL bzw. -PLE sowie temperaturabhängige Hall-Messungen durchgeführt. Die Proben sind durchweg von guter struktureller Qualität. Die Ladungsträgerkonzentration ist über die ganze Probenserie konstant und liegt bei ca. 1*1016 cm−3. Neben möglichen Anisotropien in der Leitfähigkeit wurde auch der Einfluß der Antiphasenbereiche sowie des Ordnungsgrades auf den Transport der Majoritätsladungsträger untersucht. Dabei konnte eine Abnahme der 77K-Beweglichkeit mit steigendem Ordnungsgrad bei sonst gleich bleibender Ladungsträgerkonzentration nachgewiesen werden.