Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.47: Poster
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
Optische Untersuchung von Titan-Schwefel-Komplexen in GaP — •R. Göser1, K. Kornitzer1, W. Ulrici2, K. Thonke1 und R. Sauer1 — 1Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm — 2Paul-Drude-Institut für Festkörperphysik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin
Übergangsmetalle (ÜM) werden in den gängigen III-V-Wirtsmaterialien InP, GaP und GaAs meist als tiefe Akzeptoren auf Gruppe-III-Plätzen eingebaut. Daneben sind eine Reihe von ÜM-Donator und ÜM-Akzeptor-Komplexen bekannt. In Ti-dotiertem LEC GaP:S beobachtet man in Fourier-Transform Photolumineszenz- und Absorptionsmessungen neben dem intensiven Spektrum des isolierten Ti3+ mit Nullphonon- (NP) Linien bei 4872 cm−1 bei höherer Energie ein Defektspektrum mit NP-Linie bei 5351,5 cm−1. Die Intensität letzterer Linie skaliert mit dem Ti- und S-Gehalt, weshalb eine Zuordnung zu einem [TiGa3+−SP]-Komplex anbietet. Anhand uniaxialer Druckmessungen wird diese Modellvorstellung diskutiert.