Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.56: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
ODMR-Untersuchungen an elektronenbestrahltem AlxGa1− xAs — •F.K. Koschnick, K.-H. Wietzke, M.V.B. Pinheiro und J.-M. Spaeth — Fachbereich Physik, Universität-Gesamthochschule Paderborn, Warburgerstr. 100, D-33098 Paderborn
Elektronenbestrahlte AlxGa1−xAs-LPE-Schichten (x = 0.16) mit Te-Dotierung wurden mit Hilfe des magnetischen Zirkulardichroismus der Absorption (MCDA) und der optisch (über den MCDA) nachgewiesene Elektronen- Paramagnetischen Resonanz (ODEPR) untersucht. Die Elektronenbestrahlung wurde bei 4.5 K durchgeführt. Die Dosis betrug 5× 1017cm−2. Die Proben wurden während des Umsetzvorganges in das Spektrometer nicht über 77 K erwärmt. Durch unsere Untersuchungen ergaben sich Hinweise auf die Bildung von Galliumlücken und Arsen-Antisite-artigen Defekten. Der Einfluß der Symmetrieerniedrigung durch Aluminiumnachbarn auf die gemessenen Defekte wird diskutiert. Insbesondere wird die Galliumlücke in AlxGa1− xAs mit der trigonal gestörten Galliumlücke in GaAs [1] verglichen.
[1] K. Krambrock, J.-M. Spaeth, Solid State. Commun. 93, 285 (1995)