Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.59: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Elektroabsorption in parabolischen Quantentopfstrukturen
— •U. Sahr¹, W. Geißelbrecht¹, A. Masten¹, O. Gräbner¹, M. Forkel¹, G.H. Döhler¹, K. Campman² und A.C. Gossard² — ¹Institut für Technische Physik, Universität Erlangen–Nürnberg — ²Materials Department, University of California, Santa Barbara, USA

Durch Verwendung kurzperiodiger GaAs/AlGaAs–Übergitter lassen sich Halbleiterstrukturen mit einem nahezu parabolischen Bandkantenverlauf realisieren. Ein elektrisches Feld in Wachstumsrichtung dieser Strukturen bewirkt neben einer quadratischen Absenkung der Übergangsenergien auch systematische Schwankungen in den Oszillatorstärken der einzelnen Interband–Subbandübergänge. Verantwortlich dafür ist die abwechselnd konstruktive und destruktive Überlappung der durch das Feld räumlich gegeneinander verschobenen Wellenfunktionen von Elektronen und Löchern. Das feldabhängige Absorptionsverhalten von parabolischen Quantentöpfen wird mittels doppelt–modulierter Transmissions- und Reflexionsspektroskopie an Proben mit unterschiedlicher Topfbreite untersucht. Während bei Strukturen mit schmalem Topf die diskrete Natur der Interband–Subbandübergänge aufgelöst werden kann, dominieren bei Strukturen mit breitem Topf die Modulationen der Oszillatorstärken. Beide Effekte gleichzeitig sind bei Strukturen mit mittlerer Topfbreite experimentell beobachtbar. Eine neuartige Kontaktgeometrie ermöglicht dabei die Extraktion photogenerierter Ladungsträger parallel zur Quantentopfstruktur und somit auch eine Photostrommessung.