Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.94: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Barrierenhöhen realer Metall-Kontakte auf GaN — •T. U. Kampen und W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Universität Duisburg, Lotharstrasse 1-21, D-47048 Duisburg

Die Strom-Spannungs-Kennlinien (I/V) idealer Schottky-Kontakte
werden durch die thermische Emission der Ladungsträger über die Barriere an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche beschrieben. Die I/V-Kennlinien realer Kontakte weichen vom theoretisch zu erwartenden Verhalten ab, was durch Idealitätsfaktoren n>1 berücksichtigt wird. Wir haben die Schottky-Barrieren von Ag- und Pb-Kontakten auf α-GaN(0001) bestimmt. Die Barrierenhöhen zeigen eine lineare Abhängigkeit vom Idealitätsfaktor. Mit steigendem Idealitätsfaktor wird die Barrierenhöhe kleiner. Diese Verhalten wurde schon an Schottky-Kontakten auf GaAs und Si beobachtet und ist mit Ergebnissen aus Simulationen von Tung [1] konsistent. Tung berechnete den Stromtransport in Schottky-Kontakten unter der Annahme einer lateral inhomogenen Verteilung der Schottky-Barriere. Eine Analyse der von ihm berechneten effektiven Barrierenhöhen und Idealitätsfaktoren ergibt einen linearen Zusammenhang. Die von uns aus diesem linearen Zusammenhang bestimmten Barrierenhöhen homogener Schottky-Kontakte stimmen hervorragend mit Vorhersagen des MIGS-und-Elektronegativitätsmodels überein.

[1] R. T. Tung, Phys. Rev B (1992) 13509.