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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.97: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Hochanregungseffekte in ternären und quarternären Breitband II-VI und III-V Quantenstrukturen — •M. Straßburg¹, V. Kutzer¹, L. Eckey¹, U.W. Pohl¹, A. Hoffmann¹, I. Broser¹, S. Ivanov², N.N. Ledentsov², G. Kuang³, W. Gebhardt³, O. Ambacher⁴ und M. Stutzmann⁴ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, D-10623 Berlin — ²Ioffe Physico-Technical Institut, St. Petersburg 194021, Rußland — ³Institut für Physik, Universität Regensburg, D-93053 Regensburg — ⁴Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München, D-85747 Garching

In Halbleiter-Heterostrukturen tragen unterschiedliche Mechanismen zum optischen Gewinn bei. Zur Analyse verschiedener Hochanregungseffekte wie Exziton-Exziton Streuung, Biexzitonen- und Plasmabeiträge wurden ZnCdSe und AlGaN Quanten-Well Strukturen und ZnCdSe Laserstrukturen mit aktiver CdSe-Quantum-Dot Schicht untersucht. PL, PLE- und Gainspektren bei unterschiedlichen Anregungsintensitäten und Temperaturen geben Aufschluß über die auftretenden Rekombinationsprozesse. Die Ergebnisse werden für die verschiedenen Strukturen diskutiert.