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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.98: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Epitaktisches Wachstum von kubischem GaN — •B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka — Universität Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Str. 100, D-33095 Paderborn

Die Herstellung von homogenen kubischen GaN-Schichten auf (001) GaAs-Substraten mittels plasmaunterstützter MBE (Molekularstrahl- Epitaxie) erfordert eine genaue Kontrolle der Wachstumsparameter. Es wurde hierzu bei unterschiedlichem Flußverhältnis die Temperaturabhängigkeit der Oberflächenrekonstruktion gemessen. Hierbei zeigte sich für Ga-reiches Wachstum eine c(2x2) und für N-reiches Wachstum eine (2x2) Rekonstruktion. Desweiteren wurde das stöchiometrische Wachstumsregime durch das zeitliche Erscheinen der (2x2) Rekonstruktion nach schließen des Hauptshutters bei unterschiedlicher Substrattemperatur und konstantem Flußverhältnis untersucht. RHEED-Oszillationen nahe der Stöchiometrie zeigen ein 2-dimensionales Wachstum.