Münster 1997 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL XII: HV XII

HL XII.1: Invited Talk

Thursday, March 20, 1997, 14:30–15:15, H1

Eigenschaften und Anwendungen von Beryllium-haltigen II-VI Halbleitern — •A. Waag¹, R.L. Gunshor¹, Th. Litz², F. Fischer², H.-J. Lugauer² und G. Landwehr² — ¹School of Electrical and Computer Engeneering, Purdue University, W. Lafayette, USA — ²Physikalisches Institut, Universität Würzburg

Seit der ersten Realisierung 1991 (3M, USA) konnten die Betriebsdaten von blau-grünen ZnSe-Laserdioden zügig verbessert werden. Durch Reduktion der Defektdichten und die Verwendung von ZnTe-ZnSe Kontaktstrukturen konnten Lebensdauern von über 100 Stunden im CW-Betrieb erreicht werden (Sony, Japan). Ein neues Konzept zur Erhöhung der Lebensdauer besteht in der Verwendung von Beryllium zur Gitterhärtung. Durch ihre hohe Kovalenz unterscheiden sich Beryllium-Chalkogenide (BeTe, BeSe, BeS, BeO) deutlich von konventionellen II-VI-Halbleitern. Der kovalente Bindungscharakter macht sich z.B. in der Bindungsenergie der binären Verbindung bemerkbar, die Werte vergleichbar mit GaN erreichen können. Neben den Eigenschaften von Beryllium-Verbindungen werden auch die veschiedenen Anwendugsmöglichkeiten diskutiert.