Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 20: Optische Nahfeld-Mikroskopie

O 20.6: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:15–17:30, BOT

Polarisationsempfindliche Messungen mit dem Optischen Raster– Nahfeld–Mikroskop — •S. Werner, O. Rudow, Ch. Mihalcea, S. Münster, W. Scholz und E. Oesterschulze — Institut für Technische Physik, Universität Gesamthochschule Kassel,
Heinrich-Plett-Straße 40, D-34132 Kassel

Für die optischen Raster-Nahfeld-Mikroskopie bietet der auf Basis der Silizium-Mikrostruktur-Technologie hergestellte Apertursensor Vorteile gegenüber den üblicherweise eingesetzten gezogenen Glasfasersonden. Der Sensor mit sehr gut reproduzierbaren Aperturen im Bereich 50–100 nm liefert Auflösungen besser als 50 nm [1,2].

Ein weiterführender Einsatz des Sensors besteht in der Untersuchung von weichmagnetischen dünnen Schichten mittels der magnetooptischen Raster–Nahfeld–Mikroskopie. Hierbei bestimmen neben der Aperturgröße vor allem die Polarisationseigenschaften der Sensoren das Auflösungsvermögen. Anhand von umfangreichen Meßreihen werden Sensoren mit unterschiedlichen Aperturgeometrien hinsichtlich ihrer Polarisationseigenschaften charakterisiert und ihre Funktionsfähigkeit an ersten Messungen demonstriert.

[1] C. Mihalcea, W. Scholz, S. Werner, S. Münster, Appl. Phys. Lett. 68(25), 3531 (1996)

[2] S. Münster, S. Werner, Ch. Mihalcea, W. Scholz, E. Oesterschulze, Jour. Microscopy, accepted for publication