 |
Mo, 11:30–12:15 |
S 10 |
O I: HV I |
|
|
|
Mo, 12:15–13:00 |
S 10 |
O II: HV II |
|
|
|
Di, 11:30–12:15 |
S 10 |
O III: HV III |
|
|
|
Di, 12:15–13:00 |
S 10 |
O IV: HV IV |
|
|
|
Di, 14:15–15:00 |
S 10 |
O V: HV V |
|
|
|
Di, 15:00–15:45 |
S 10 |
O VI: HV VI |
|
|
|
Do, 09:30–10:15 |
S 10 |
O VII: HV VII |
|
|
|
Do, 10:15–11:00 |
S 10 |
O VIII: HV VIII |
|
|
|
Do, 14:15–15:00 |
S 10 |
O IX: HV IX |
|
|
|
Do, 15:00–15:45 |
S 10 |
O X: HV X |
|
|
|
Fr, 09:30–10:15 |
S 10 |
O XI: HV XI |
|
|
|
Fr, 10:15–11:00 |
S 10 |
O XII: HV XII |
|
|
|
Mo, 09:30–11:15 |
S 10 |
O 1: Metall/Metall-Homoepitaxie |
|
|
|
Mo, 09:30–11:15 |
S 1 |
O 2: Zeitaufgelöste elektronische Struktur |
|
|
|
Mo, 09:30–11:15 |
S 2 |
O 3: Adsorption von N und O |
|
|
|
Mo, 09:30–11:15 |
BOT |
O 4: Raster-Kraft-Mikroskopie I |
|
|
|
Mo, 09:30–11:15 |
PC 4 |
O 5: Adsorption auf Halbleiter-Oberflächen |
|
|
|
Mo, 14:15–15:45 |
AULA |
O 6: POSTER I |
|
|
|
Mo, 16:00–19:00 |
S 10 |
O 7: Epitaxie/Wachstum auf Metallen |
|
|
|
Mo, 16:00–19:00 |
S 1 |
O 8: Elektronische Struktur I |
|
|
|
Mo, 16:00–19:15 |
S 2 |
O 9: Große und größere Moleküle |
|
|
|
Mo, 16:00–19:00 |
BOT |
O 10: Atomare Adsorption |
|
|
|
Mo, 16:00–19:00 |
PC4 |
O 11: Teilchen und Cluster I |
|
|
|
Di, 09:30–11:15 |
S 10 |
O 12: Metall/Metall-Epitaxie I |
|
|
|
Di, 09:30–11:15 |
S 1 |
O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern |
|
|
|
Di, 09:30–11:00 |
S 2 |
O 14: Adsorption von Kohlenwasserstoffen |
|
|
|
Di, 09:30–11:15 |
BOT |
O 15: Raster-Kraft-Mikroskopie II |
|
|
|
Di, 09:30–11:15 |
PC 4 |
O 16: Dynamik der Adsorption/Desorption |
|
|
|
Di, 16:00–18:45 |
S 10 |
O 17: Metalloxide auf Metallen |
|
|
|
Di, 16:00–18:45 |
S 1 |
O 18: Elektronische Struktur II |
|
|
|
Di, 16:00–19:00 |
S 2 |
O 19: Adsorption von Molekülen |
|
|
|
Di, 16:00–19:15 |
BOT |
O 20: Optische Nahfeld-Mikroskopie |
|
|
|
Di, 16:00–18:30 |
PC 4 |
O 21: Teilchen und Cluster II |
|
|
|
Mi, 14:15–15:45 |
AULA |
O 22: POSTER II |
|
|
|
Mi, 16:00–19:00 |
S 10 |
O 23: Diffusion/Wachstum auf Metallen |
|
|
|
Mi, 16:00–18:45 |
S 1 |
O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si |
|
|
|
Mi, 16:00–19:00 |
S 2 |
O 25: CO-Adsorption |
|
|
|
Mi, 16:00–19:00 |
BOT |
O 26: Methodisches (Experiment) |
|
|
|
Mi, 16:00–18:45 |
PC 4 |
O 27: Flüssigkeits- und Elektrodenoberflächen |
|
|
|
Do, 11:15–13:00 |
S 10 |
O 28: Metall/Metall-Epitaxie II |
|
|
|
Do, 11:15–13:00 |
S 1 |
O 29: Metalle auf Halbleitern I |
|
|
|
Do, 11:15–12:45 |
S 2 |
O 30: Chemische Oszillationen |
|
|
|
Do, 11:15–13:00 |
BOT |
O 31: Raster-Tunnel-Mikroskopie |
|
|
|
Do, 11:15–13:00 |
PC 4 |
O 32: Isolatoroberflächen |
|
|
|
Do, 16:00–18:45 |
S 10 |
O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter |
|
|
|
Do, 16:00–19:00 |
S 1 |
O 34: Oberflächenmagnetismus |
|
|
|
Do, 16:00–19:00 |
S 2 |
O 35: Adsorption und Reaktionen von Oberflächen |
|
|
|
Do, 16:00–19:15 |
BOT |
O 36: Phasenübergänge und dynamische Eigenschaften |
|
|
|
Fr, 11:15–13:00 |
S 10 |
O 37: Struktur reiner Metalloberflächen |
|
|
|
Fr, 11:15–13:00 |
S 1 |
O 38: Metalle auf Halbleitern II |
|
|
|
Fr, 11:15–13:00 |
S 2 |
O 39: Adsorption auf Oxiden |
|
|
|
Fr, 11:15–13:00 |
BOT |
O 40: Methodisches (Theorie) |
|
|
|
Fr, 11:15–13:00 |
PC 4 |
O 41: Nanostrukturen |
|
|
