Münster 1997 –
wissenschaftliches Programm
O 38: Metalle auf Halbleitern II
Freitag, 21. März 1997, 11:15–13:00, S 1
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11:15 |
O 38.1 |
In situ NMR Beobachtung der Ausbildung der Si(111)3x1:Li Rekonstruktion† — •H. Kleine, H.J. J"ansch, W. Krauß, and D. Fick
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11:30 |
O 38.2 |
Bestimmung des Desorptionsmechanismus durch PSID und
XSW von Si(111)-(7×7) und CsCl/Si(111)-(7×7) — •A. Hille, J. Falta, C. Sánchez-Hanke, Th. Schmidt, and G. Materlik
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11:45 |
O 38.3 |
Adsorbat-induzierte Stabilisierung hochindizierter Oberflächen: In auf Si(103) — •Jan Helge Zeysing, Henning Klar, Gerald Falkenberg, Lorenz Seehofer und Robert L. Johnson
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12:00 |
O 38.4 |
Ver"anderungen der Morphologie der Ge(001)(2× 1) Oberfl"ache nach Sb-Adsorption — •G. Falkenberg, L. Seehofer, R. Kosuch, and R.L. Johnson
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12:15 |
O 38.5 |
Wechselwirkung von Ag mit Si(111)7× 7 bei Variabler Temperatur — In–Situ–Adsorption im STM — •A. Feltz, H. Wengelnik und T. Berghaus
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12:30 |
O 38.6 |
Untersuchung der Selbstorganisation Ag induzierter Vielfachstufen auf fehlgeneigtem Si(001) — •P. Zahl, A. Meier und M. Horn-von Hoegen
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12:45 |
O 38.7 |
In-situ-TEM-Untersuchung der Kinetik des dendritischen Wachstums von Gold auf HOPG — •A.A. Schmidt, I. Schneidereit und R. Anton
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