Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Metalle auf Halbleitern II

O 38.3: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:45–12:00, S 1

Adsorbat-induzierte Stabilisierung hochindizierter Oberflächen: In auf Si(103) — •Jan Helge Zeysing, Henning Klar, Gerald Falkenberg, Lorenz Seehofer und Robert L. Johnson — II. Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Die reine Ge(103)-Oberfläche ist stabil und bildet eine (4× 1)-Rekonstruktion aus [1]. Die reine Si(103)-Oberfläche dagegen ist instabil und facettiert. Durch Aufdampfen von 2 ML Indium bei 400^∘C und Nachtempern bei 500^∘C wird die Facettierung aufgehoben und es bildet sich eine (1× 1)-Rekonstruktion aus, die durch eine In-terminierte ideale (103)-Oberfläche beschrieben werden kann. Die In-Atome sättigen alle freien Bindungen der Si(103)-Oberfläche ab. Bei der Untersuchung der Oberfläche mittels STM wurden charakteristische Punktdefekte beobachtet, die auf substitutionelle Si-Atome zurückgeführt werden. Die gemessene durchschnittliche Terrassenbreite von 200 Å  ist durch die Fehlorientierung der Probe zur (103)-Richtung begrenzt. Die Ergebnisse der Untersuchung werden mit denen weiterer Gruppe III-Adsorbate (Al, Ga) auf Si(103) verglichen.

[1] L. Seehofer, G.Falkenberg und R.L. Johnson, Phys. Rev. B, in Druck