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Münster 1997 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

O 24.1: Talk

Wednesday, March 19, 1997, 16:00–16:15, S 1

Nukleation in der Si(001) Homoepitaxie — •Wolfgang Theis1 und Ruud M. Tromp21Institut für Experimentalphysik, FU-Berlin, Arnimallee 14, D-14195 Berlin-Dahlem — 2IBM Reasearch Division, T.J. Wason Research Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, New York 10598, USA

Mikroskopie mit niederenergetischen Elektronen (LEEM) wurde zur Beobachtung der Oberflächentopographie von Si(001) während des homoepitaktischen Wachstums bei 650C verwendet. Es wurden das Nukleationsdichteprofil auf einer gegebenen Insel und die Größenverteilung dieser Inseln zum Zeitpunkt der Nukleation bestimmt. Ein Vergleich mit homogener Nukleationstheorie ergibt eine kritische Keimgröße von etwa 650 Dimeren und erlaubt es die Nukleation zusammen mit Gleichgewichtsstufenfluktuationen und 2D-Inselreifung in einem konsistenten gemeinsamen Rahmen zu verstehen.

(W.Theis and R.M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 76, 2770 (1996))

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