Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 5: Adsorption auf Halbleiter-Oberflächen

O 5.3: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 10:00–10:15, PC 4

Elektronische und vibronische Struktur von Benzol adsorbiert auf Si(001) — •U. Birkenheuer¹, U. Gutdeutsch¹, P. Trischberger², S. Gokhale², W. Widdra², D. Menzel², H.-P. Steinrück³, H. Dröge³ und N. Rösch¹ — ¹Theoretische Chemie, Technische Universität München, D-85747 Garching — ²Physik-Department E20, Technische Universität München, D-85747 Garching — ³Exp. Physik II, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg

Mit Hilfe von Clustermodellen wurde die elektronische und vibronische Struktur von Benzol adsorbiert auf der rekonstruierten Si(001)-Oberfläche mit MNDO- und ’first-principles’-Dichtefunktionalmethoden untersucht. Die für verschiedene geometrische Strukturmodelle berechneten Spektren werden sowohl mit Daten aus neueren winkelaufgelösten Photoemissionsmessungen von C₆H₆ auf eindomänigen Si(001)-p(2×1)-Oberflächen als auch mit Elektronenergieverlustspektren [1] von Benzol auf Si(001) verglichen. Der Adsorptionskomplex weist C_2v-Symmetrie auf, und es läßt sich zeigen, daß Benzol in di-σ-Koordination an nur einen Si-Si-Dimer unter Ausbildungung einer dem 1,4-Cyclohexadien ähnlichen Struktur mit zwei intakten C-C-Doppelbindungen bindet. Eine alternative, bi-radikalische und vier C-Si-Bindungen aufweisende Struktur kann ausgeschlossen werden.

[1] Y. Taguchi, M. Fujisawa, T. Takaoka, T. Okada and M. Nishijima, J. Chem. Phys. 95, 6870 (1991).