Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 5: Adsorption auf Halbleiter-Oberflächen
O 5.4: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 10:15–10:30, PC 4
Adsorption von Fluor auf der (100) Diamantoberfläche — •S. Hadenfeldt und C. Benndorf — Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg, Bundesstr.45, 20146 Hamburg
Wir berichten über Untersuchungen zur Adsorption von Fluor auf der (100) Diamanteinkristalloberfläche mittels Augerelektronenspektroskopie (AES), Thermischer Desorptionsspektroskopie (TDS) und der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED). Elementares Fluor wurde durch Feststoffelektrolyse von LaF3 oberhalb 570 K dargestellt. Die Fluor-Dosierung konnte durch Variation von Elektrolysestrom und Expositionszeit variiert werden. Typische Werte sind 250 µA und 120 s. Der Diamanteinkristall wurde durch eine Vorbehandlung im Wasserstoffplasma gesäubert und zeigte im LEED scharfe Beugungsmaxima der 2x1 rekonstruierten Oberfläche. Experimente bei einer Substrattemperatur von 340 K zeigen in der AES bei sukzessiver Steigerung der Fluorbelegung eine Zunahme der Intensität des 647 eV F Signals bei gleichzeitiger Intensitätsabnahme des 272 eV Signals vom Kohlenstoff. Während des sukzessiven Belegens mit Fluor konnten bis jetzt noch keine LEED-Überstrukturen beobachtet werden. Beim Aufheizen auf 1300 K desorbiert Fluor oberhalb 1100 K. Die Oberfläche zeigt das Auger-Spektrum der reinen Diamantoberfläche. Im LEED-Bild erkennt man wieder die anfängliche 2x1 Rekonstruktion. Zur Zeit werden photoelektronenspektroskopische (UPS, XPS) Untersuchungen an diesem System durchgeführt.