Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
TT: Tiefe Temperaturen
TT 2: Supraleitung in Hochfrequenz und Elektronik
TT 2.6: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 11:30–11:45, F2
HTS-Mehrlagentechnologie für integrierte DC-SQUIDs — •L. Ferchland1,2, G.M. Daalmans1, M. Selent3, L. Bär1, D. Uhl1 und P. Seidel2 — 1SIEMENS AG, ZT MF 1, Paul-Gossen-Str. 100, D-91052 Erlangen — 2Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, D-07743 Jena — 3TU Ilmenau, Institut für Allgemeine und Theoretische Elektrotechnik, D-98684 Ilmenau
Es wird eine Technologie vorgestellt, die zur Herstellung integrierter HTS-Multilagen-DC-SQUIDs entwickelt wird. Dabei stellen sich die folgenden Probleme als besonders wichtig heraus. Zum einen gab es Isolationsprobleme in sich überkreuzenden Strukturen, die mit einem Photolack-Reflow-Verfahren wesentlich verbessert werden konnten. Zum anderen wurde bei nachfolgenden Beschichtungen die untere HTS-Schicht in ihren supraleitenden Eigenschaften durch Sauerstoffverluste in den CuO-Ketten beeinträchtigt. Infolgedessen ist sowohl Tc als auch die kritische Stromdichte jc der unteren supraleitenden Ebene eingeschränkt. Ein Wert von 1·106 A/cm2 wird nur dann erreicht, wenn zusätzliche Temperschritte durchgeführt werden. Mit dieser Technologie wurden DC-SQUIDs mit integrierter Einkoppelspule auf SrTiO3-Bikristall-Substraten realisiert. Es wurden zwei Versionen präpariert, die sich nur in der Reihenfolge der supraleitenden Ebenen unterscheiden. Die Charakterisierung der SQUIDs erfolgte bei 77 K. Experimentelle Ergebnisse werden vorgestellt.