Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

K: Kurzzeitphysik

K 6: Laserstrahl-Wechselwirkungen

K 6.5: Talk

Wednesday, March 11, 1998, 15:00–15:15, H8

Dynamik ultraschneller, laserinduzierter Strukturänderungen in amorphem GeSb — •K. Sokolowski-Tinten¹, J. Solis², J. Siegel², J. Bialkowski¹, C.N. Afonso² und D. von der Linde¹ — ¹Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität-GHS-Essen, D-45117 Essen — ²Instituto de Optica, CSIC, C/Serrano 121, 28006 Madrid, Spanien

Wir haben die Dynamik ultraschneller, fs-laserinduzierter Strukturänderungen in amorphen GeSb-Filmen mit Hilfe zeit- und ortsaufgelöster Reflexionsmessungen (Femtosekunden Mikroskopie) untersucht. Für Anregungsenergiedichten von 5 − 19 mJ/cm² wird Schmelzen des Materials innerhalb von etwa 10 ps beobachtet. Oberhalb einer Energiedichte von 19 mJ/cm² zeigen die Daten in weniger als 300 fs die Bildung einer transienten Phase des angeregten Materials, die sich optisch deutlich vom flüssigen Zustand unterscheidet. Dieser kurzlebige Zwischenzustand (ca. 1 ps) besitzt exakt die Reflektivität von kristallinem GeSb und wird auch nur in dem Bereich der bestrahlten Probe beobachtet, wo sich das Material letztendlich kristallin verfestigt. Die Beobachtungen geben erste experimentelle Hinweise auf einen möglichen ultraschnellen fest-fest-Phasenübergang (amorph nach kristallin) in a-GeSb.